南韓科技大廠 三星電子（Samsung Electronics）傳出將採用台灣晶圓巨頭 台積電（tsmc）的 3 奈米先進製程，為美國人工智慧（AI）晶片大廠 輝達（NVIDIA）下一代客製化高頻寬記憶體（HBM）「NVHBM」生產基礎晶粒（Base Die）。而這也是三星電子首度打破過去自家晶圓廠包辦生產的模式，在製造 HBM 階段導入台積電先進製程技術。
《首爾經濟日報》週日（10月18日）引述產業消息人士指出，輝達已要求記憶體供應商三星電子、SK 海力士（SK Hynix）及美光（Micron），統一採用台積電 3 奈米製程生產新一代「NVHBM」基礎晶粒，並使用第六代「動態隨機存取記憶體」（DRAM）1c 製程製造記憶體核心晶粒。三星電子經過內部評估後，已決定接受輝達的技術要求。
由於三大記憶體廠商的製造技術不同，輝達希望透過統一基礎晶粒製程，來減少產品效能差異，同時降低公司分別驗證各家晶片的成本與時間。
根據輝達今年 8 月公布的官方資料，「NVHBM」是以第七代高頻寬記憶體 HBM4E 架構為基礎的客製化記憶體技術。與傳統 HBM 不同，「NVHBM」將原本位於圖形處理器（GPU）的部分記憶體控制功能，轉移至 HBM 底部的基礎晶粒。這款方法不只能騰出 GPU 空間、增加運算電路，還能提升資料傳輸效率。
此外，「NVHBM」相較於標準版的 HBM4E，記憶體頻寬最高可增加 30%；功率消耗方面則可降低 15%。
不過，三星沒有打算全面放棄自家晶圓代工業務。目前三星已率先量產第六代 HBM4，第七代 HBM4E 則進入量產驗證階段，這 2 款產品的基礎晶粒均採用三星自研的 4 奈米製程。未來標準 HBM 及其他客戶的客製化產品，仍由三星電子自行製造。
不只如此，三星電子也正在評估使用自研的 2 奈米製程，生產「NVHBM」基礎晶粒的可行性，以因應台積電產能供不應求的情況。
事實上，三星電子與台積電 2022 年就曾在 HBM 與 CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）先進封裝技術方面展開合作。當時為了讓自家 HBM 順利整合進輝達等客戶的 AI 晶片中，三星必須調整其 HBM 的物理與電路規格，以配合台積電獨霸市場的 CoWoS 先進封裝平台，雙方的合作內容，主要集中於後段封裝層面的規格相容與訊號連接。
延伸閱讀｜黃仁勳親曝與台積電結緣內幕 馬斯克轉發影片讚「This is the way」
According to Korean media reports, Samsung Electronics has decided to manufacture the NVHBM base die using TSMC’s 3nm process at Nvidia’s request. However, Samsung has not entirely ruled out using its own foundry and is also validating whether it can produce the base die in-house in case NVHBM demand exceeds TSMC’s production capacity. https://t.co/3WNR660C24
— Jukan (@jukan05) October 18, 2026
