荷蘭半導體設備大廠艾司摩爾（ASML）近日交貨第三代標準型極紫外（EUV）光微影設備（光刻機）——Twinscan NXE:3800E。這款設備搭載了 0.33 數值孔徑透鏡，並在其性能上較前型號 Twinscan NXE:3600D 有了顯著提升，還具備支援未來數年3奈米和2奈米技術節點晶片製造的能力。
據悉，Twinscan NXE:3800E 是 ASML 一系列 0.33 數值孔徑（Low-NA EUV）微影技術在性能（每小時處理的晶圓數量）和精度方面的另一個飛躍。外傳新的 EUV 設備可達到每小時處理 195 片晶圓的處理速度，相比 Twinscan NXE:3600D 的 160 片大概提升了 22%，未來有可能提高至 220 片。此外，新工具還提供了小於 1.1 奈米的晶圓對準精度。
即便用於 4 奈米與 5 奈米晶片的生產，Twinscan NXE:3800E 也能提升效率，讓製造商可以提高晶片生產的經濟性，實現更有效率且更具成本效益的晶片生產。
更重要的是，Twinscan NXE:3800E 對於製造 2 奈米晶片和後續需要雙重曝光的製造技術有更好的效果，精度的提升會讓 3 奈米以下的製程節點受益。
根據報導，現有的低數值孔徑 EUV 設備的價格可能為 1.83 億美元。這比新一代高數值孔徑 EUV 設備的報價，顯然還是低很多。 先前有報導稱，業界首款採用 High-NA EUV 光刻技術的 TWINSCAN EXE:5200，報價達到 3.8 億美元。
據報導，另一台低數值孔徑 EUV 機器可能會在 2026 年發布，即 ASML 的下一代 Twinscan NXE:4000F 型號，預計將與新興的高數值孔徑解決方案共存。
ASML的光刻機是用來做什麼的？
ASML的光刻機是一種用於半導體製造的先進設備，其主要功能是將微型電路圖案精確地轉移到晶片上。該過程稱為「微影」（lithography），是製造積體電路晶片（如處理器、記憶體等）的關鍵步驟之一。光刻機通過使用紫外線光（或極紫外線光，更常用於高端設備中）照射至塗有感光材料（光阻）的晶圓表面，透過曝光和發展過程，形成電路圖樣。
透過光刻技術，可以製造出極其微小的晶片結構，這對於提高晶片的性能與效率、縮小元件尺寸以及降低成本至關重要。ASML光刻機尤其擅長生產高度縮小且複雜的節點，例如5奈米、3奈米，甚至是2奈米製程的晶片，是當今最先進的晶片製程技術不可或缺的關鍵設備。
