全球半導體設備巨頭艾司摩爾（ASML）的關鍵光學系統獨家供應商德國蔡司集團（Zeiss）高層近日直言，中國在自主研發尖端極紫外光（EUV）光刻機方面，技術水準仍落後國際大廠約15年。而儘管美荷兩國聯手祭出嚴格的半導體設備出口管制，但蔡司方面警告，若進一步將禁令擴大至較成熟的DUV光刻機，不僅無益於西方企業營運，反而可能成為激發中國半導體加速創新的催化劑。
根據《彭博社》報導，蔡司半導體部門負責人羅蒙德（Frank Rohmund）在受訪時針對中國半導體設備的發展現況發表看法。他指出，中國若要成功研發出具備商業化能力的極紫外光光刻機，預估還需要長達15年的時間。
羅蒙德表示這是一個「合理的估計」，但他同時也坦言，由於尖端技術的研發進展與瓶頸往往難以精確量化，目前要準確判斷中國實際的技術落點仍具挑戰性。目前，荷蘭大廠艾司摩爾是全球唯一一家能夠商業化量產EUV光刻機的企業，而蔡司則是其EUV設備所用核心光學系統的獨家供應商，掌握著關鍵的技術命脈。
在美國積極推動的地緣政治戰略下，荷蘭政府不僅已全面限制ASML向中國市場出口最先進的EUV光刻機，近期更進一步收緊了技術門檻相對較低的浸潤式深紫外光（DUV）光刻機的出口許可。
然而，針對業界盛傳出口管制可能繼續向下延伸至更舊型的DUV設備，羅蒙德抱持反對態度。他直言，擴大管制對企業經營層面將帶來負面影響：「我們不認為這些過度的出口限制會產生積極效果，因為這反而會倒逼並加速中國本土的技術創新。」
事實上，中國在突破成熟製程設備方面已逐漸展現出企圖心。科技媒體《The Information》今年7月曾引述知情人士消息指出，上海已有企業開始製造自主研發的浸沒式DUV光刻機。雖然這象徵著中國在半導體設備國產化邁出重要一步，但該設備的實際運行性能及量產可靠性，仍有待市場與時間驗證。
對此，羅蒙德表示，考慮到中國過去數十年來在相關領域投入了龐大的研發資源，近期關於其中低階技術突破的報導「並不令人意外」。他總結道：「接下來，我們必須持續觀察這些國產設備在生產線上的實際性能究竟如何；但無庸置疑的是，在尖端技術領域，我們仍然遙遙領先。」
